松下电工就该公司与东京农工大学联合开发出采用“纳米硅电子源”发光元件一事,对采用该元件便于提高理论发光效率的原因做出以下解释。
“向此次开发的发光元件电极间施加的电压仅为20V。虽然电压很低,但仍可从电子源放射出具有8~12eV能量的电子,与氙气碰撞。这样可直接激发氙分子,产生波长极短、仅为100~200nm的紫外线(真空紫外线)。紫外线照射到荧光体后可转换为可见光。
另外,以往的荧光灯大多采用“电离放电”。电离放电是指至少在亮灯时向电极间施加高电压,使水银气及氙气等气体出现失去绝缘性的“绝缘破坏”现象。由此产生的电子与气体分子等发生碰撞后,会产生更多的电子,这种过程反复进行,将使电子呈雪崩状增加。另外,电离后的分子与电极发生碰撞也会导致电子增多。这会造成能量损失”(松下电工)。
而此次的发光元件,虽然产生高能量电子,但由于施加的是低电压,在绝缘破坏或雪崩时不会产生电子,因此能量损失较小。
目前的荧光灯大多封入水银。虽然也有采用氙气的产品,但发光效率仅为30lm/W左右。而此次开发的发光元件不仅能够采用氙气,还可实现较高的发光效率,因此这是一项具有发展前景的技术。
编辑:中国照明网 荒原
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