LED厂商通过多片集成提高输出功率

    以先进封装技术提高功率

    大陆地区厂商能够大量生产1W至3W的单片大功率LED，为了提高输出功率，许多厂商开始转向多片集成，把先进的封装技术如共晶芯片键合等技术用于自己的大功率LED。该技术把粘合晶圆整合在散热装置之中，然后再进行封装。这种技术不需要使用任何膏状材料，缩短了散热通道，从而显著降低了热辐射。     

    瑞丰光电表示，采用共晶芯片键合技术的RF-WMPW06LS最大发光效率为120lm/W，热阻小于9℃/W，5,000小时后的光衰减小于5%，可以耐受260℃的波峰焊接。瑞丰光电子更是专注于开发发光效率高达150lm/W的新品。     

    量子光电与武汉大学、中南大学和杭州科技大学建立了合作关系，联手开发多片集成封装技术。该公司生产的大功率LED最新一款产品发光效率可达110lm/W，热阻为8℃/W至12℃/W。该公司还计划生产效率高达l25lm/W，热阻为4℃/W至10℃/W，衰减水平较低的大功率LED。     

    深圳市方大国科光电技术有限公司专注于大功率LED的生产，改善了亮度并降低了光衰减。该公司的LED封装采用铜镀银支架与硅胶材料，可以把LED的寿命延长到5万小时。该公司声称，其高亮度LED产品线所采用的全部芯片获得了多项专利。     

    兼顾散热性与亮度提升

    在台湾地区，厂商把目光放在了改善散热性能、提高亮度和采用先进的封装上面。据华上光电介绍，热管理、可靠性与高亮度是对于AlGaInPLED芯片的一些基本要求。利用其成熟的晶圆键合技术与专门设计的外延晶圆结构，该公司为在户外使用的LED开发出了一系列高性能反射镜结构AlGaInP芯片。     

    华上光电生产的MS系列LED芯片采用了其获得专利的金属基板，并使用了晶圆键合技术。在620nm的亮度下发光效率可以达到50lm/W以上。该系列产品的尺寸为9mil至41mil。华上光电的14milMS芯片正向电压为2.1V，电流为20mA时亮度为120mcd至440mcd。对于41milMS芯片，正向电压为2.5V，电流为350mA时亮度为2.4cd至7.2cd。其9mil芯片面向中小型指示器，14mil芯片最适于室外照明和汽车应用。25mil和41mil等尺寸较大的芯片，可以用于一般照明与RGB背光。     

    多片LED封装设计也使得香港地区厂商能够开发紧凑型大功率LED，解决散热问题也使得厂商能够得到更高的亮度。他们采用了各种不同的方法，包括使用温度传感器和高导热性散热材料。