亿光电子(TSE:2393)推出三款新型高速度耦合器系列产品,8-pinDIP型高速光耦合器(phototransistoroptocoupler)。此多款新型系列搭载高绝缘电压(5000Vrms,1minute),薄型的封装外型能够装设在受限制的空间中(S1optionat3.9mmmax)以及提供宽度8mm的外部爬电绝缘距离。
此系列中的1MB高速度光耦合器系列提供多样电流转换比率规格(multiplecurrent-transfer-ratio(CTR))以及宽广的操作温度(-55°Cto+100°C)。10MBd逻辑闸(LogicGate)高速度耦合器提供操作温度从-40˚Cto+85˚C稳定的效能和可到达35ns的狭窄PWD(PulseWidthDistortion)。高增益达灵顿(High-GainSplitDarlington)系列在1.6mA的低输入电流下可达到2000%(typ.)电流转换比率。当设计线性接收器、提供模拟式讯号或数字型线路接地绝缘,或是抑制一般常见的噪声时,这些搭载关键的特性的光耦合器皆可以提供绝佳的使用。
1MBd的高速光耦合器,包括6N135,6N136以及EL4502,皆为光电二级体偏压和输出晶体管的收集者及搭载分离连结的功能。和传统光耦合器相比,此功能将大大增加传输的速度。此系列也提供多样电流转换比率规格(CTR)范围,并且以高电压层次的传输转移取代传统脉冲波式传输。而6N137是一款10MBd逻辑闸高速度光敏晶体管耦合器,搭配高速度光电积体线路侦测组件(HighSpeedIntegratedPhotoDetector)。应用在高数据传输能阻绝一般的外部噪声频率干扰。6N138及6N139是一款高增益达灵顿系列,它可以直接驱动在CMOS电路上并且在低输入电流下提供高电流转换比率(CTRs).此系列可应用在低功率消耗(lowpowerconsumption),线路接地(groundisolation)及高瞬间抵抗噪声能力(HighTransientImmunity)的需求产品.
此8-pinDIPdevices系列,如同亿光其它的DIP型optocouplers,皆可提供两种SMD类型(SandS1)。除了在高度限制应用上可以省下空间之外,SMD选项S1类型保留DIP封装的隔离电压5,000Vrms的需求优势。此多款系列产品皆符合(Pb)-free和RoHS-compliant无铅化的制程。将提供使用DIP型光耦合器的需求者另一个绝佳的选择。
编辑:芷儿
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