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美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员最近报道首个封装大功率、高效半极性（30-3-1）蓝光led（452nm），相关文章请详见Ingrid L. Koslow等发表在 Japanese Journal of Applied Physics 期刊2010年 Vol 49 , p080203 的文章。UCSB从去年就已经开始研究在若干不同半极性晶向上生长LED和激光器，希望能获得比生长于传统极性 c 面上器件更好性能。
c 面器件的外量子效率（EQE）最高能达到60%左右，似乎很难被超越。这也是成熟技术的优势，其他晶向上材料的生长仍处于相对早期的阶段，意味着这些材料比在 c 面上生长出的材料一般具有更高的缺陷密度（约10 10 /cm 2 ）。但 c 面器件想要得到如此高的EQE值，则需要相当特殊的工作条件，例如特别的电流和温度控制等。而我们真正需要的是能在各种条件下工作并获得高效率及大功率。
半极性和极性材料被认为能生长出更好的器件，因为有源区内的电场强度较小。在极性器件中，电场能引起量子束缚斯塔克效应（Quantum-confined Starker Effect,QCSE），使电子和空穴分离，于是辐射复合与其他机理过程相比需要更长的时间，最终使发光效率降低。上述电场来自于氮化物半导体材料的自发极化和压电极化（与材料内的应力状况有关）。
UCSB的研究人员表示，他们在最近的实验中使用的（30-3-1）晶面与（20-21）晶面只相差5°，后者在日本住友电工最近研发的绿光激光器中的表现令人期待。
编辑：小马
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