十城万盏触动中国半导体照明产业亢奋神经

　　作为出生“寒门”的led，可谓是一路跋涉、辛苦异常。如今随着技术的跃升，已经被称为第四代照明 光源或绿色光源，可谓实至名归。它具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。故在当前的经济形势严峻、能源危机的情况下一跃成为广受赞誉的新的照明形式。

　　近年来，世界上各个国家围绕led的研究和应用展开了激烈的技术竞赛。美国从2000年起投资5亿美元实施“国家半导体照明 计划”，欧盟也在2000年7月宣布启动类似的计划。中国在“863”计划的支持下，2003年6月份首次提出发展半导体照明计划。

　　863计划奠定中国led产业基础

　　2002年前国内LED芯片 完全依赖进口，2003年国家半导体照明工程启动后，GaN功率型芯片从无到有，并带动了小功率芯片的发展，逐步替代进口。2006年国内led芯片需求量660亿只，进口370亿只，国产化率已达到44%。预计2007年国产白光照明用小功率GaN芯片将达到80亿只，国产化率超过30%，功率型GaN芯片国产化率将达到20%。

　　2003年，半导体照明的“十一五”863重大项目自实施以来，代表了国内研发的最高水平。如今，我国led外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技术，部分核心技术具有原创性，初步形成了从上游材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用等比较完整的研发与产业体系，为我国led产业做大做强在一定程度上奠定了基础。

　　截至2008年底，国家半导体照明工程取得重大进展：探索性、前沿性材料生长和器件研究出现部分原创性技术。国内已研制出280纳米紫外led器件，20毫安输出功率达到毫瓦量级，处于国际先进水平;非极性氮化镓的外延生长，X射线衍射半峰宽由原来的780弧秒下降至559弧秒，这一数值是目前国际上报道的最好结果之一;首次实现大面积纳米和薄膜型光子晶格led，20mA室温连续驱动小芯片输出功率由4.3mW提升至8mW;全磷光型叠层白光OLED发光效率已达到45流明/瓦;成功开发出6片型和7片型MOCVD样机，正在进行工艺验证。

　　我国led产业在产业化关键技术上也取得较大突破。国产芯片替代进口比例逐年增长，截至目前已接近50%。功率型白光led封装接近国际先进水平,已成为全球重要的led封装基地。以企业为主体的100流明/瓦led制造技术进展较快，通过图形衬底技术和改善外延层结构，产业化线上完成的功率型芯片封装后达到75流明/瓦。具有自主知识产权的功率型硅衬底LED芯片 封装后效率接近60流明/瓦，处于国际先进水平。

　　同时，规模化系统集成技术研究和重大应用进展顺利。应用产品种类与规模处于国际前列，已成为全球led全彩显示屏、太阳能led、景观照明 等应用产品最大的生产和出口国。天津一汽夏利和常州星宇已开发出led汽车前照灯样灯，2008年7月海信首款42英寸超薄led背光液晶电视上市，目前已销售近万台，预示着占世界产量40%的中国消费类电子产品开始大规模使用led技术。

 　 以奥运示范工程为代表的规模化系统集成技术的实施，促进了产品集成创新与示范应用，显示达到了节能、环保的效果，提高了国际社会的认知度。去年8月，北京奥运会开幕式及场馆采用的led景观照明、全彩显示屏等产品，开创了奥运历史上大规模使用LED照明 技术的先例，led成为支撑绿色奥运、科技奥运的重要力量。据测算，仅水立方5万平米的led景观照明，与荧光灯相比，全年可节电74.5万度，节能70%以上。功率型led（用国外的芯片封装可达80—90流明/瓦）已开始在次干道路灯 、停车场、加油站等照明领域应用，可节电30—50%，采购与运行综合成本约3年左右与传统光源持平，而光效每年提高约30%，价格下降40%。约5万盏led路灯已在20多个城市开始示范应用，用led进行市政照明节能改造已成为可能。

 　 在标准协调推进方面成效显著，12项国家标准和7项行业标准正在审批。特别是组织成员单位自发筹资应对美国“337调查”专利诉讼。联盟还积极利用两个市场、两种资源，推动国际合作，已成功组织召开五届半导体照明 国际论坛暨展览，累计参会人数达3000人次。参加美国固态照明系统与技术联盟（ASSIST），以每季度参与国际成员相关会议为契机，协调推进国际标准化工作。

 　 通过半导体照明工程重大项目的实施，预计2010年，中国有望突破材料、器件部分核心技术，使白光发光效率达130lm/W，产业化水平达100lm/W，申请发明专利200项以上，进一步降低成本，在产业链上的主要环节上形成2—3家龙头品牌企业，应用开始进入通用照明领域，相关产业规模达1000亿元，年节电500亿度，最终形成具有自主知识产权和国际竞争力的中国半导体照明新兴产业。