LED照明为何产业雷声大市场雨点小？

　　　　如火如荼来形容中国LED照明产业一点都不过分，但不可否认的是，中国LED照明是产业热、市场冷。为什么会出现这样的尴尬呢？这是因为，以目前的技术做大功率LED照明灯具与现有高效光源相比并没有明显的节能优势，而初次投入成本却高的多。大电流在提升光效的同时也大量转变成了热能，如果散热处理不好又会使LED寿命大幅降低，用散热器又增加成本和体积，使LED光源的优势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的LED技术惹得祸。

　　LED的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，被LED吸收产生为热能导致结温升高，同时降低内量子效应，这应该是LED整体发光效率仅达到传统照明一般水平的原因所在。因此，找到两者的平衡点是实现科学发光效率的有效途径。而LED发光效率的提升将通过直接减少LED颗粒带来成本的下降。

　　目前绝大部分白光LED应用均为60mW以下的直插小管，由于这种封装工艺会带来严重的散热问题，所以只适合于指示灯应用领域。现在3528贴片封装占据LED灯管主要地位，但其70%以上的成本均用于铝制散热外壳的成本和加工，使得贴片封装的高昂成本阻碍着LED照明的普及。

　　目前LED封装成本占到50%，要想降低LED总体成本，我们就必须选择更合适的封装结构，所以改变现有的封装结构，实现合理的封装成本，将是LED照明被市场接受的最有效、最直接的途经。当然，LED芯片随工艺、出货量增加、采用更大尺寸晶圆制作工艺，也在不断的降低成本，近年来每年在以20%速度降低中，如果能把目前的封装成本从占总成本的50%降低到20%～30%，LED照明的应用会上到一个新数量级市场规模。

　　目前LED芯片约占整个灯具成本15%左右，但现在真正能比传统光源节能的LED芯片却屈指可数。而散热设计、恒流电源设计、整体控制技术，也是LED照明得到普及应用前必需解决的技术问题。目前，散热和可靠性是LED照明产品生命周期的制约因素，散热设计一是要LED芯片与散热器件路径尽量短，二是要有足够的散热路径以减少散热阻力。

　　LED照明的技术走向，主流光源应该是采用CoB（chip on board）封装的专用白色LED模块，按灯具光学要求的Co    B封装，同时也可减少二次光学设计成本。CoB封装的LED模块在底板上安装了多枚LED芯片，使用多枚芯片不仅能够提高亮度，还有助于实现LED芯片的科学合理配置，降低单个LED芯片的输入电流量以确保高效率。

　　分布式恒流技术，不断优化“LED恒流驱动光源”整体解决方案，可持续提升LED模组的光效。同时，小型化的开关电源、持续优化散热设计，以及提高LED模块的密封性提高散热能力。这一切都是LED照明市场成长起来的必要技术条件，不客气地说，电源是目前LED照明最薄弱的环节，严重影响到LED灯具的质量水平，而众多国内企业的产品品质也确实到了必需提高的时候了。

　　让成本下降、使技术成熟是整个产业链的事。LED产业链的上、中、下游分别为外延材料与芯片加工、产品器件与模块封装、显示与照明应用。LED外延片与芯片约占行业70%的利润，LED封装约占10%～20%，LED应用约占10%～20%。统计显示，我国半导体照明生产企业超过3000家，其中70%集中于产业的下游，国产LED外延材料、芯片以中低档为主，80%以上的功率型LED芯片、器件依赖进口。

　　近年来，政府以撒胡椒面的方式兴建了若干LED照明产业基地，但中国的LED产业热仍是以70%的国人争夺LED的10%～20%利润份额为代价的。这就意味着，掌控LED核心技术的国外公司若不急于拉低LED成本，扎堆LED下游的中国LED业者只能以牺牲自己的利润去实现低价而让市场热起来，但没有技术支撑的下游产品，就算价格再便宜，又有多少人敢用呢。

　　另外，LED照明发展的阻力除了本身的技术、规格、散热与价格等因素外，CFL节能灯、萤光灯技术也在发展，办公室照明系统中T5灯管的发光效率已达到100 lm/W的水准，CFL节能灯也有3W规格的超小型产品问世，从目前LED与节能灯的性价比而言，LED照明的普及尚有较长的路要走。

　　由于下游封装和应用所需的资金和技术要求相对较低，目前国内80%以上的LED企业都只有低端封装业务；而LED芯片及外延片等上游产业由于对技术和资金要求较高，因此涉足企业较少，发展相对滞后。由于设备占LED整个生产线购置成本近2/3，这也是LED产品难以降低的主要原因。2010年1月8日，国内首台自主研发的MOCVD设备在广东昭信半导体装备制造有限公司下线，在通过接下来的4个月数据测试后将进入设备量产阶段。

　　据了解，缓冲分布式喷射反应室、整合ALD与CVD的工艺技术和MOCVD电场辅助生长，是昭信半导体MOCVD设备的创新点。采用BDS反应腔体，通过中心辐射流动与垂直喷淋流动的结合，吸收行星反应腔体层流，从而无需行星反应腔体所需的复杂运动。采用的气流模式可准确实现反应气体的瞬时切换，在保持腔体流场不变的情况下，可以实现反应气源从连续到脉冲注入的切换。加热炉体采用多区电阻片红外辐射加热方式，每个加热区域可以独立控制，可以实现大面积温度均匀可控，获得更广范围的加热温区。控制系统采用网络架构，实现传感器与执行器实时控制；根据不同外延工艺对实时性的敏感性进行了针对性设计，以保证生产的重复性与稳定性。

　　总部位于南昌研制GaN-on-Si MOCVD生长技术的晶能光电，近日开发出一款采用1×1mm芯片冷白光LED，在350mA电流下光输出超过100流明。目前绝大多数LED的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的LED在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的LED，晶能光电称，其基于硅衬底的高功率InGaN LED性能接近于采用传统衬底生长的LED。据悉，该公司目前用于显示领域的小尺寸管芯（200 micron）已经进入量产阶段。