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最终的目的是：在提升和保持发光效率的情况下，再增强整个LED器件散热能力，在小、轻、薄的封装器件上，实现高光效、高电流、高功率。目前一些厂商的基于陶瓷散热结构的3535（T1901PW）尺寸SMD型大功率器件，已经可以实现700mA工作，光通量达到220lm以上。2012年初会提升到1050mA，光通量300lm以上。
另外还可以采用不同的封装工艺，根据3535器件的实测热阻表现可以看出，采用倒装共晶方式的器件，热阻低至2.5℃/W，这样器件即使在1050mA条件下工作，在灯具散热良好的情况下，器件结温和器件底部温差仍然不超过10℃。
在中功率器件方面，提高器件电流密度，也是降低单位流明成本的有效途径，以天电光电的采用新型高导热材料的3020（T3400SW）尺寸的SMD中功率LED产品为例，由于T3400SW具有超低热阻，卓越的耐温耐热性能，在大电流条件下仍然保持高光效。目前典型光通量20lm@60mA，2012年初将提高到50lm@150mA，以目前的水平看，单位光通量成本约相当于20mA器件的一半左右。具有明显的性价比优势 。
结论：
根据目前掌握的技术和已经取得的产品成果，SMD型LED将是未来LED封装主要型式，中高功率LED封装产品主要向小型化、薄型化、高功率、高亮度方面发展。同时为了尽快降低制造成本，规模化也是必须的，规模化至少是每月50KK的1W以上的大功率LED生产能力。芯片和封装技术的进步，使得单颗3535器件的功率达到3-5W成为可能。
上述指标实现后， LED行业100lm/1RMB的时代将来临，这将对LED在照明领域的普及产生极大的推动作用，为LED整个行业发展做出巨大贡献。
编辑：向佐
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