我国LED照明发展形势乐观

　　科技支撑培育

　　产业发展基础

　　目前，我国已建立完整的研发体系，初步形成了从上游外延材料与芯片制备，中游器件封装及下游集成应用的比较完整的技术创新链。

　　在国家科技计划的持续支持下，促进了上下游的实质性合作，部分核心关键技术方面取得突破。2010年，我国产业化大功率LED芯片光效超过100 lm/W，与国际先进水平差距缩小到2到3年;封装达到国际先进水平;在国际上首次推出具有自主知识产权的Si衬底LED芯片，光效超过90 lm/W，已实现产业化;下一代技术核心方面，我国与国际处在同一起跑线上，如深紫外LED器件的研发处于国际领先水平。

　　我国在半导体照明领域申请的专利数量近年上升很快，2010年，我国LED相关专利申请共30682项，约占全球LED专利申请数量的27%，2001～2009年平均增长率33%，明显高于全球平均水平，而且下游应用专利申请优势明显，应用方面专利约占总数的76%，其中道路等功能性照明应用领域处于国际领先地位。

　　形成优势共振

　　创新发展模式

　　国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)，是在科技部的大力支持与指导下，由国内从事半导体照明行业的骨干企业和科研院所等按照“自愿、平等、合作”的原则发起成立的，目前已发展至272家成员单位，包括产业链上中下游、来自海外的知名企业和研究机构。

　　联盟通过开展广泛的区域和国际合作，积极拓展在半导体照明标准、检测、应用等领域的国际性交流合作，通过项目、标准、示范等手段，不断拓展半导体照明国际交流与合作的广度和深度。