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国星光电今日公告称，公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行不超过9055万股，发行价格不低于6.96元/股。此次，公司拟募集不超过6.3亿元资金投入国星半导体外延芯片项目(二期)(以下简称芯片二期)及补充流动资金。
预案显示，芯片二期项目总投资为6.2亿元，国星光电拟投入募集资金5亿元。项目建成后，将年产LED外延片410.5万片，240.5万片，大中芯片36.6亿粒，外延片全部用于生产芯片。项目建设期为15个月，预计达产后年可实现销售收入5.32亿元，税后净利润8347万元。
国星光电表示，此次非公开发行，将进一步夯实公司在LED行业“垂直一体化”的业务架构，提高公司封装产品的市场竞争力。
事实上，国星光电早在2012年便启动了芯片一期项目的建设工作。一期项目总投资10.39亿元，引进了20条MOCVD生产线及相应的芯片生产设备，并一次性建成了满足50条MOCVD生产线及相应的芯片生产设备使用的生产厂房。预计可形成年产外延片96万片、芯片63.36亿粒的生产能力。国星光电曾表示，经过调试和小批量生产后，公司预计9月底能够实现一期项目量产。
《每日经济新闻》记者注意到，据行业数据显示，截至2012年底，国内MOCVD数量已经达到917台，而去年全年MOCVD产能利用率仅三成左右，已经引发市场对芯片产能过剩的担忧。国星光电上述两期项目达产后，公司半导体整体芯片产能将达到每年100亿颗左右。这无疑将极大的考验公司未来的产能消化能力。
责编：李杰
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