引言

　　自1991 年GaN 蓝光LED 面世后，GaN 基LED近几年来发展迅速。目前，高效率GaN 基LED 已经被广泛地用于全彩显示屏、固态照明、液晶显示器背光源等方面。LED 以其寿命长、耗电小、环保、耐冲击、抗震等优点，LED 照明市场增长快速[1]。但是，由于在半导体和空气之间折射率的差异造成的全反射而导致LED 表面的光提取效率较低[2，3]，典型的GaN 半导体材料折射率为2. 5，由全反射定律得知，光线从半导体逸出到空气中全反射角的临界值为24°角[4]，故大于24°的光线都无法从半导体材料中逸出。因此，全反射在很大程度上影响了LED 的光提取效率。因此，如何减少全反射，改善LED 的光提取效率成为如今研究热点之一[5]。本文主要介绍了对LED 芯片表面或芯片内部的几种微结构的加工，它们都能够起到提高LED 出光效率的作用。

　　1 LED 表面微结构技术

　　传统的GaN 基LED 是利用化学气相沉积( MOCVD) 技术在560°C 左右的蓝宝石基底上分别沉积掺杂Si 的n 型GaN 材料和掺杂Mg 的p 型GaN材料，两种材料之间形成量子阱( MQW) 。在p 型GaN 材料上再镀上一层ITO 膜( 氧化铟锡) ，该金属氧化物透明导电膜作为透明电极，其作用是增强电极出光亮度以及隔离芯片中发射的对人类有害的电子辐射、紫外线及远红外线等[6]。LED 的基本结构如图1 所示。

　　清华大学的张贤鹏等人[8]采用基于Cl2 /Ar /

　　BCl3气体的感应耦合等离子体( ICP) 刻蚀技术制作了p-GaN 表面具有直径3μm、周期6μm 的微结构。该微结构将GaN 基蓝光LED 芯片的光荧光效果提高了42. 8%，并且在LED 器件注入电流为20mA 的情况下，将芯片正面出光效率提高了38%，背面出光效率提高了10. 6%。

　　加州大学的Schnitzer 等[7]对LED 芯片进行表面微结构处理的做法是利用自然光刻法将LED 芯片的出光表面做一个粗糙化处理，使得LED 芯片的出光表面变得粗糙不均匀，粗糙化后的芯片结构如图2 所示。如图3 所示，当光波传递到不均匀表面时，由于粗糙表面的光散射，这样，半导体内更多的光可以传播到空气中。粗糙化的LED 芯片其出光效率可以达到约16. 8%，而一般的环氧树脂封装LED 的光取出效率非常低，仅能达到4% 左右[1]。粗糙化后的LED 芯片结构在SEM 下扫描结果如图4 所示。

　　2 LED 芯片表面双层微结构技术

　　LED 芯片表面双层结构指的是在p 型GaN 半导体上出光表面和ITO 透明导电电极的上表面各加工上一层微结构。这种双层微结构的LED 芯片的出光效率较普通的LED 芯片提高了近40%。J. H. Kang 等人[11]设计的双层微结构LED 芯片的制作方法如图5 所示，先在LED 芯片的p 型GaN 半导体材料上表面沉积一层200nm 厚的ITO透明导电膜( 如图5( a) ) ，再用5% 的稀盐酸浸泡约30s，由于稀盐酸对ITO 膜的腐蚀作用，200nm 的ITO 薄膜将被腐蚀成直径约为200nm 的ITO 纳米导电球体( 如图5( b) ) ，此时，微小的ITO 纳米球作为后续蚀刻处理中的掩膜结构，通过电感耦合等离子蚀刻( ICP) 后，由于纳米球的保护作用，刻蚀后的芯片p 型GaN 材料的上表面形成纹理微结构( 如图5( c) ) ，最后在ITO 纳米导电球体表面再沉积上氧化铟锡材料，从结构上来说在LED 芯片的上表面形成一种双层的微结构[10]( 如图5( d) ) 。