中国国内LED产业发展现状

 　　截至2006年12月，我国有十余家外延芯片厂商已经装备MOCVD，投入生产的总计数量为40台。按照各厂商的扩展计划，2007年预计有15台MOCVD陆续安装投入使用，使国内的GaN MOCVD设备增加到55台。

 　　2006年国内LED芯片市场分布如图5所示。其中InGaN芯片市值约占据43%，四元InGaAlP芯片市值约占据整个国内LED芯片的15%；其他种类LED芯片的市值约占据42%。从国内芯片产值上计算，2006年国内InGaN芯片产值4.5亿元，同期国内InGaN芯片需求总产值25亿元；国内非InGaN芯片(普亮和四元)总产值6亿元，同期国内非InGaN芯片需求总产值17亿元，合计国内芯片市场总需求42亿元。InGaN和高亮四元占国内芯片总量的58%，说明国内外延及芯片制造及应用市场发展到一定水平。

 　　目前，我国具有一定封装规模的企业约600家，各种大大小小封装企业已超过1000家，目前国内LED器件封装能力约600亿只/年，2006年国内高亮度LED封装产品的销售额约146亿元，比2005年的100亿元增长46%。从分布地区来看，主要集中在珠江三角洲、长江三角洲、江西、福建、环渤海等地区。(2005年统计国内LED产业总产值133亿元，其中封装封装产品的销售额约100亿)。

 　　在产能方面，随着国内相关企业生产规模的扩大及新的芯片公司的陆续进入，在国内需求市场的推动下，国内InGaN芯片产能已经由2003年的65KK/月倍增至2005年的400KK/月，2006年进一步提升至600KK/月，国内自产供应率逐年提升。预计未来几年国内InGaN芯片仍将保持30%左右的年复合增长率，至2010年国内将超过日本成为全球第二大GaN芯片生产基地，产能高达1650KK/月，实际上由于LED MOCVD设备投入后产能提高特别快，这些估计有些保守。

 　　在产业技术发展方面，国内目前已研发1W的功率LED芯片可产业化，其发光效率为30lm～40lm/W，最高可达47.5lm/W，单个器件发射功率为150mW，最高可达189mW。南昌大学近年来开展在硅衬底上生长GaN外延材料研究，已研发的蓝光芯片发射功率达7mW～8mW，最好为9mW～10mW，芯片成品率为80%，功率LED芯片在350mA下发射功率为100mW～150mW，最好可达150mW。在500mA、1000小时通电试验下，蓝光的光衰小于5%。该成果取得突破性进展，通过“863”项目验收，并获得多项有自主产权的国际发明专利。该专利打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国Cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成蓝宝石、碳化硅、硅衬底制成蓝光的半导体照明技术方案三足鼎立的局面，在产业化过程中不会受日亚和Cree蓝光专利的制约，且目前最成熟的白光合成方案是蓝光+YAG磷光粉的方式，即未来进入白光照明领域必须先掌握蓝光芯片技术，南昌大学的硅衬底蓝光专利具有极为广阔的市场前景。2007年2月1日上午，预计总投资高达7000万美元的晶能光电(江西)有限公司“硅衬底发光二极管材料及器件”产业化项目，正式在南昌高新技术产业开发区开建一期工程。该项目技术来源于南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心，并得到了金沙江、Mayfield和AsiaVest三家国际创业投资基金的大力支持。整个产业化项目分三期建设，一期建设预计将于今年年底完成，形成年产30亿粒硅衬底蓝、绿光LED芯片的生产能力；二期建设实现年产硅衬底蓝、绿光LED芯片140亿粒；三期建成上中下游产业链，实现LED产业集群，实现年产值50亿元。

 　　大连路美通过收购美国AXT公司获得40多项芯片核心技术专利，并获得整个技术团队，因此芯片技术研发能力国内最强，目前路美国内只有10台MOCVD，国内产能并不大，更多MOCVD设备在美国AXT；国内厦门三安规模最大，技术水平也处于前列，其它如士兰微( 11.17,-0.08,-0.71%)旗下的士兰明芯近年在技术上取得较大进展，这些企业前景比较明朗。