目前，世界范围内在GaN基高亮度LED及半导体全固态照明光源的研发方面居于领先水平的公司主要有：美国的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他综合性大公司（如NEC、Matsushita、Mitsubishi及Sumitomo等），德国的Osram等等。这些跨国公司多数有原创性的专利，引领技术发展的潮流，占有绝大多数的市场份额。
在GaN基光电子器件中，大量的专利内容集中于发光区的结构设计，主要包括：普通双异质结（EP0599224）；一般的方形量子阱（包括单量子阱和多量子阱、EP1189289和JP11054847）；梯形量子阱（US6309459）；三角量子阱以及非对称量子阱（GB2361354）；采用非掺杂的载流子限制层（US2002093020）；活性层与p型层之间加入缓冲层（US2001011731）；采用多量子垒（MQB）做载流子限制层（US2001030317）等等。这些专利设计的目的均是为了提高活性区的发光效率。
器件制作：以8项典型技术为代表
基于物理机制和工艺技术的讨论，我们对有关GaN基发光产品的全套器件制作专利做了分析，现列举8项典型代表技术：
一是美国专利US5631190（Method for producing high efficiency light-emittingdiodesandresultingdiodestructures），即制作高效发光二极管和实现二极管结构的方法。其专利拥有者为CreeResearch.
二是美国专利US5912477（Highefficiencylightemittingdiodes），即高效率发光二极管，其专利拥有者为CreeResearch.
三是专利WO0141223（ScalableLEDwithimprovedcurrentspread-ing），即具有改进的电流分布层的发光二极管。其专利拥有者为Cree Re-search.
四是美国专利US6526082（P-con-tactforGaN-based semiconductorsutilizingareverse-biasedtunneljunction），即用反偏的隧道二极管制作GaN基半导体的P型接触层。其专利
拥有者为Lumileds.
五是美国专利US2002017652（Semiconductorchipforoptoelectronics），即管芯的制作方法。其专利拥有者为Osram.
六是US6538302（Semiconductorchipandmethodfortheproductionthereof），即半导体芯片及其制作方法。
其专利拥有者为Osram.
七是专利DE10064448.其专利拥有者为Osram.
八是美国专利US6078064（Indiumgalliumnitridelightemittingdiode），即InGaN发光二极管。其专利拥有者为EPISTAR.
中国照明网论文频道现向广大业内朋友征集稿件。稿件内容要求具有技术性、可读性。欢迎研究机构、院校、企业进行投稿。
投稿信箱：edit@lightingchina.com.cn
联系电话：0086-020-85530605-5029
(投稿时请注明作者姓名、单位、邮编和地址及电话、E-mail；以便通知审核结果，如发稿七日内无通知请来电查询。)
广东中照网传媒有限公司 版权所有 增值电信业务经营许可证：粤B2-20050039 粤ICP备06007496号
传真：020-85548112 E-mail：Service@lightingchina.com.cn 中国照明网
