高亮度LED初具产业基础 仍需政策助力

    从上世纪高亮度LED(发红、橙、黄光的四元系产品和发蓝、绿、紫光的GaN基产品)问世以来，经过十几年的努力，高亮度LED已经进入功能性照明领域，并将逐步进入普通照明领域，目前已形成较完善的产业链，备受世界各国及国际大公司的重视。我国也紧跟世界前沿技术，加快研发和产业化工作，已经具备了一定的产业基础。

    我国LED产业链初步成型

    根据中国光学光电子行业协会光电器件分会的统计和测算，再参考国内相关机构提供的数据，2007年全国从事LED的企业有2000多家，其中从事外延生长、芯片制造研究和生产的单位有40多家，器件封装企业约600家，其中有一定规模的封装企业约100家。应用产品和配套企业有1700多家。行业就业人员约十几万人(另有统计估算为30万～40万人)，从原材料、外延生长、芯片制造、器件封装到应用产品和配套材料、设备仪器，已形成较完善的产业链。近几年，我国LED芯片和器件，尤其是高亮度LED芯片和器件的增长十分迅速。

    外延及芯片技术取得突破

    LED的核心技术是LED的外延生长和芯片制造技术，近几年政府和相关研究机构对此高度重视，投入了大量资金和人力加以研究、开发和产业化。主要研究机构有北大、清华、南昌大学、北京工大、山东大学、南京大学、华南师范大学、厦门大学、深圳大学、中南理工大学，中科院半导体所、物理所，中电13所、55所以及新成立的中科院半导体照明研发中心等。在外延生长、芯片制造方面开展多项研究并取得成果，如在不同衬底(Al2O3、Si、SiC、AlN、GaN)上外延生长GaN材料、有图形化衬底外延、非极性或半极性外延、衬底转移、激光剥离、共晶焊接、ITO电极、表面粗化和光子晶体等等，提高内量子效率和外量子效率，均取得很好的研究成果。另外，我国已研发出AlGaN深紫外(260nm～400nm)发光二极管，还研发出1W的LED蓝光芯片，做成白光LED的发光效率超过80lm/W，并研制出四元系AlGaInP红光功率LED器件，发光效率约40lm/W。南昌大学研制出具有自主知识产权的在Si衬底上生长GaN，并做出蓝、绿LED芯片，已实现产业化。

    国内LED外延生长和芯片制造的主要企业有厦门三安、大连路美、上海蓝光、上海蓝宝、山东华光、杭州士兰明芯、江西晶能光电、河北同辉、沈阳方大、厦门乾照、江西联创、南昌欣磊、上海大晨、上海宇体、深圳世纪晶源、深圳奥伦德、扬州华夏集成、廊坊清芯、甘肃新天电、武汉迪源、西安中为、广州普光、东莞福地，以及外资企业武汉华灿、厦门晶宇、厦门明达和晋江晶蓝等共计20多家企业，这些企业在芯片结构和工艺改进方面做了大量的工作，在提高产品性能、成品率、工艺重复性、提高抗光衰能力和可靠性等方面均取得较大成果，保障了芯片的批量生产。2007年国内生产高亮度芯片超过210亿只，增长率为75%，其中蓝、绿芯片约为65亿只，增长率为62.5%，预计2008年高亮度LED芯片产量将超过300亿只，其中蓝、绿芯片约80亿～100亿只。