深思：2008后中国半导体照明业发展

    第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议于12月1日到3日在广州召开，会议由中国电子学会半导体与集成电路分会、电子材料分会主办，是国内化合物半导体、微波器件和光电器件方面最高级别的学术会议。

    GaN等Ⅲ族氮化物的发展成为本次会议的主题，特别是随着半导体照明的发展和应用，以GaN为代表的化合物半导体受到了研究及产业相关机构极大重视。为此，大会特邀王占国院士介绍了GaN基材料及器件在激光显示方面的应用，郑有枓院士就Ⅲ族氮化物半导体发展中面临的科学技术问题作了相关报告。在半导体照明方面，大会更是特邀国家半导体照明工程项目办公室主任、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长介绍了中国半导体照明发展现状及趋势，中科院半导体所所长、国家半导体照明工程研发及产业联盟研发主席李晋闽所长介绍了半导体照明技术的一些最新进展。

    吴玲主任介绍了半导体照明在降低能耗、节能减排、环境保护、传统产业改造、新兴产业培育等方面的作用及产业基础，并指出21世纪中国发展迅速的城市化进程、以基础设施投入为主的4万亿拉动内需计划都将为我国的半导体照明发展提供极大机遇。

    吴玲主任还提出了半导体照明产业“顶天、立地”的概念：“顶天”是指该技术不仅仅是应用于照明的高科技，与之相关的GaN等Ⅲ族氮化物半导体技术还是涉及信息光电子、能源光电子、微波功率器件及电力电子器件的战略性高科技；“立地”是指半导体照明已经在多个领域得到规模化应用，为人们的工作和生活带来了实实在在的便利，已经成为民生的一部分。她认为，这使得半导体照明技术与产业形成了一种“边开花、边结果”的模式，使半导体照明产业具备了在相当长的时期内持续增长的技术和产业基础。

    半导体照明在技术及产业方面还存在非常大的空间，郑有炓院士指出Ⅲ族氮化物半导体是一种发展中的材料，其研发至少还要进行20年以上。MOCVD是GaN材料生长和半导体照明产业的关键，目前的设备还远未成熟，产业界亟待新替代MOCVD设备的出现；新型衬底研发不断突破，外延材料生长的技术路线存在更多选择等都是技术和产业关注的焦点。这究竟会成为机遇还是挑战？我们还如何应对？吴玲主任认为这是半导体照明研发和产业界需要认证思考的问题。