LED行业前景：上游主宰下游

    上游:技术制胜，不确定性大

    技术进步是持续的过程，有些仅仅是改良，有些则是颠覆性的。LED上游环节之所以风险大，就是因为技术还不成熟，而技术上的革命往往意味着现有技术的失败。

    截至2007年底，内地拥有的MOCVD数量达到80台，估计2008年新增约40台，而据各大厂商投资计划，2009年可能再增加60台。尽管设备数量增加，但主要承担生产任务，企业大多宁愿买设备也不愿意在研发上有更多投入。

    由于企业不愿意承担基础性研究，中国LED材料的基础研发任务更多由大学和科研院所承担。单打独斗的科研单位都想将自己的成果产业化，结果经常是重复建设，效率低下。相比之下，中国台湾工研院组织集中规划科研方向和进度，效果显著。目前国内研究进展较快的是南昌大学和哈尔滨工业大学。

    南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心，由江风益教授领衔，在GaN基LED的Si衬底开发上取得了突破进展，并组建了晶能光电有限公司，从事外延材料与芯片的生产。公司称其芯片具有抗静电性能好、寿命长、承受电流密度高、封装工艺简单等特点，863专家组的评价是：“打破了目前日本日亚垄断蓝宝石衬底和美国Cree垄断碳化硅衬底的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅衬底三足鼎立的局面”。实际上，目前其Si衬底LED产品的输出功率仍然很低，还无法向蓝宝石发出真正挑战，但晶能光电公司仍然在2006和2007年成功完成了两轮私募，总融资额5200万美元。GSR、MayfiELd、AsiaVest、Temasek等投资机构就是把宝押在了技术的进一步突破上。

    借鉴前苏联专家的技术路线，哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所采用冷心放肩微量提拉法（SAPMAC法），成功制备了大尺寸蓝宝石晶体，结束了中国蓝宝石衬底片依赖进口的历史。2006年4月，研发人员与研究所、哈工大实业开发总公司共同创建了奥瑞德光电技术有限公司。2008年6月，该公司又成功地生长出Φ320×300mm、重68.58公斤的光学级蓝宝石单晶，这是目前世界上最大的泡生法生长出来的蓝宝石单晶。

    此外，中科院半导体所已研制出了一次生长3片2英寸衬底、适合GaN材料生长的MOCVD样机，但与国际上已经成熟的24片机还有很大差距。

    有些中国企业已经认识到技术的重要性，在基础研发上进行了一些尝试，上海兰宝、江西联创、世纪晶源、厦门三安、方大国科等企业都希望能开发中上游的高端产品。然而，知识产权不是一句空话，各企业的技术之路并不平坦。

    在奥运会期间大出风头的大连路明集团（由中国科学院长春物理所毕业的肖志国创立于1992年，是国内领先的蓄光发光和半导体发光企业，中标2006德国世界杯300平方米的户外全彩LED显示屏和2008北京奥运会“水立方”的LED景观照明工程）对LED芯片研发非常重视。2003年9月，因为占据80%订单份额的HP公司突然取消了全部订单，美国AXT公司光电子事业部（拥有外延片生长与芯片设计技术）陷入亏损，路明集团果断决定对其进行收购。2004年大连路美建成投产，美国AXT光电部分人员迁到大连，部分人员留在美国组成美国路美。路美由路明控股，主要负责研发外延片、芯片以及终端应用的最新技术与工艺，以期与世界顶级技术同步，用肖志国的话讲，“收购AXT光电让路明最少缩短了10年的技术爬坡时间”。

    肖志国做的是一个了不起的尝试，不过，这项跨国并购还是不可避免地带来巨大的成本压力和管理上的挑战，“按美元计算薪酬”的博士就有10多位，路明集团能否利用这次机会，在上游研发中取得真正的进展，还有待检验。