发展硅衬底LED技术形成自主创新品牌

　　尽管硅衬底LED技术路线起步较晚，但该单位在短短几年内成功地开发出高性价比的功率型LED器件并与具有几十年底蕴的蓝宝石衬底LED和碳化硅衬底LED技术路线竞争市场，则表明硅衬底LED技术路线发展潜力巨大,为开辟具有中国特色的半导体照明技术路线奠定了重要基础。

　　目前，国内外采用第三条技术路线进行LED照明芯片研发的单位越来越多，国际上一些LED大厂纷纷加入到这一行列中来。有些国际专家甚至断言，硅衬底LED技术路线就是未来半导体照明芯片生产的终极技术路线。由此新的技术路线引发的半导体照明核心技术的竞争正在全球掀起。尽管我国在此领域目前领先，但丝毫不能轻“敌”，还须快马加鞭，既要将现有的成熟产品扩大生产规模，还要加大研发力度，继续提升发光效率，开发性价比更优的高档芯片，保持企业良好的可持续发展态势，打造具有国际竞争力的民族品牌。

　　发展硅衬底LED技术对我国LED照明技术和产业的发展起到至关重要的作用，将解决我国大规模生产LED照明芯片有关的知识产权方面的后顾之忧，同时也将解决LED照明芯片价格居高不下的问题。

　　专家观点：

　　功率型硅衬底LED芯片测试结果出色

　　中国电子科技集团第十三研究所教授张万生

　　我们国家的硅衬底LED的技术是由江西南昌大学材料所(江西晶能公司)通过自主创新发展起来的。去年，中国电子科技集团第十三研究所半导体照明研发中心和国家半导体质量监督检验中心对江西晶能公司送来的一批(100只)硅衬底1mm×1mm功率型芯片进行了测试，测试结果令人振奋，350mA下，峰值波长450nm，辐射功率在350mW以上，为国产功率芯片的最高水平。在壳温70℃、700mA电流加电老化168小时，其光衰在5%以内。这是我国功率LED技术发展的新曙光。在“十二五”期间，国家应该继续对硅衬底技术给以更大的支持，使之更加完善，形成具有一定规模的批量生产能力。

　　硅衬底LED照明技术后续发展潜力大

　　南昌大学教授江风益

　　按照材料制备所用的衬底划分，目前已实现产业化的有三种半导体照明技术路线，即蓝宝石衬底半导体照明、碳化硅衬底半导体照明、和硅衬底半导体照明技术路线。其中前两条技术路线的核心专利主要掌握在日美欧几大巨头手中，几大巨头之外LED企业正在艰难地进行技术创新工作，期望能在二次创新过程中有所收获。同时，世界各地的研究人员正在进行其他技术路径的尝试。其中最引人注目的就是硅衬底半导体照明技术。硅衬底半导体照明技术具有其他衬底无法比拟的两大优势：第一，硅材料比碳化硅和蓝宝石要便宜很多，而且容易得到大尺寸的衬底，这将显著降低外延材料的生长成本;第二，硅衬底半导体照明外延材料，非常适合走剥离衬底薄膜转移技术路线，为开发高效率高可靠性半导体照明芯片具有得天独厚的优势。

　　南昌大学从事LED研究开发10多年，从蓝宝石衬底LED技术的跟踪走上了硅衬底LED技术的创新与跨越，突破了数十项关键技术，研发成功了硅衬底LED材料与芯片，已获得、公开和申请发明专利100余项，其中已授权14项国家发明专利,已授权6项美国发明专利。