发展硅衬底LED技术形成自主创新品牌

　　目前该技术已推出6类产品,已有160多家应用客户，已销售20多亿粒(多数为小芯片)硅衬底LED芯片产品，已在彩屏、数码管、景观照明和路灯、射灯、洗墙灯、灯泡等方面应用,其中1mm*1mm功率芯片封成白光后大于90lm/W。

　　目前国际上许多单位或研究组加大了硅衬底半导体照明技术的研发步伐，不少国际知名半导体照明企业在这方面进行重点攻关，但到目前为止仍集中在基础研究阶段，虽有几家单位报道取得了一定进展，但离规模化生产还有较大距离。

　　通过近6年由我国发展出来的硅衬底半导体照明技术，如今已经达到了具有20多年发展历程的蓝宝石衬底和碳化硅衬底半导体照明产品的中上水平。这充分表明硅衬底半导体照明技术的后续发展潜力。

　　为此建议，希望国家毫不犹豫地加大资助力度，上中下游通力合作，加快发展硅衬底半导体照明技术，实现大规模产业化，闯出一条区别于发达国家的具有鲜明国际特色的硅衬底半导体照明技术发展之路，形成我国自成体系的具有国际竞争力的半导体照明产业，为我国节能减排作贡献。

　　整体布局快速推进硅衬底LED技术产业化

　　苏州纳晶光电有限公司董事长梁秉文

　　要重视硅衬底上GaNLED的技术路线并加大投入将其产业化的工作做好。目前，在这方面工作做得最好的是江西的南昌大学和相关的晶能公司，他们在这方面扎扎实实做了大量的研发工作并申请和获得了100多项的相关专利，形成了专利的网络布局。形成了具有中国优势除了蓝宝石和碳化硅衬底以外的第三条技术路线，并与其他两条技术路线相比更具潜力和优势，这是难能可贵的。目前从产品性能指标上看已经与蓝宝石、碳化硅衬底的在同一个数量级上。这说明硅衬底上GaNLED的技术路线是可行的。与其他的衬底相比，硅衬底上GaNLED有很多种实现了的和潜在的优势，包括散热、成本、衬底的剥离，与硅电路的集成，以及以硅材料作为封装支架等。这样一个好的技术路线和方向，不是可以靠一家、二家公司和学校可以很容易地形成产业化。政府有关部门应该组织一组(群)公司与大学、研究所一起来制定出相关产品与技术发展路线图，并快速推动其技术的成熟和产业化。可以考虑在上中下游的整体布局，比如外延、芯片公司有3-4家，封装多家和相应的应用厂家紧密配合。重点在于解决上下游的技术、工艺难题，以及检测、质量控制和相关的设备、原辅材料的配套等问题。并快速进行6英寸及以上衬底的技术和产品开发，使其尽快显示出其应有的优势。

　　正视硅衬底LED技术问题推进产业化

　　福建省光电行业协会秘书长彭万华

　　硅衬底生长GaN是多种衬底中的一种，是一种技术路线，目前用于产业化的衬底有蓝宝石、碳化硅和硅。将来很有前途的衬底可能是半极性和极性的衬底。

　　从目前在硅衬底上生长的GaN发光二极管与其他几种衬底生长的二极管相比，在性能上还是有差距的，主要是发光效率和可靠性有待进一步提高和验证。另外，有关硅衬底产业化生产过程中，成品率、产品的一致性和均匀性等关键问题，也希望能进一步了解分析后，再推进发展。

　　硅衬底LED技术使我国在国际半导体照明界争得话语权

　　国家半导体照明研发与产业联盟产业执行主席范玉钵

　　硅衬底LED技术是半导体照明产业上游具有自主知识产权的一项技术，我国要在国际半导体照明界争取话语权没有拥有自己独特技术是不可想象的，尽管硅衬底LED技术仍还有许多难题要攻克，但是相信只要能够整合半导体芯片技术的精英，通过不懈的努力，一定能够实现突破性的进展。
　　
　　GaN技术应格外引起重视

　　佛山国星光电董事长王垚浩

　　商业化的GaN基LED衬底主要为蓝宝石、SiC(碳化硅)和硅。日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国科锐公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术，而硅衬底上GaN基LED专利技术为我国拥有，是实现LED产业突破国际专利封锁的重要技术路线。当然作为产业化主流的GaN技术仍然需要重视，毕竟目前的市场竞争仍然是GaN衬底芯片的竞争，不重视它也是就是放弃了市场竞争。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　编辑：Leo