深圳市2009年—2015年LED产业发展规划

　　三、发展重点

　　(一)产业发展重点

　　1.衬底、外延及芯片

　　重点支持大尺寸蓝宝石衬底晶体及GaN同质衬底材料的加工和制作项目，支持GaN基材料生长和低成本器件制造技术研发及产业化项目;通过发展图形衬底、衬底剥离、新型横向外延、光子晶体技术等多种途径，大幅度提高功率型LED芯片的发光效率;重点发展GaN基蓝、绿光外延片和四元系InGaAlP红、黄光外延片，重点支持高品质、规模化的外延以及芯片产业化项目。

　　2.封装

　　重点发展中高端的封装产品。围绕深圳特色应用产品(照明、背光源、显示屏等)及周边区域下游应用需求(手机、电脑、景观、汽车、家电等)，优先支持功率型白光LED封装项目、产能在300KK/月以上的较大规模的SMD封装项目。

　　3.应用产品

　　重点发展中、高端LED应用产品。优先发展室内照明灯具、城市道路照明灯具、户外装饰照明系统、汽车照明灯、大尺寸LED背光源、全彩显示屏、彩屏幕墙、太阳能LED应用产品等项目。

　　4.配套及设备

　　重点发展MOCVD\HVPE等外延生长设备的国产化、LED芯片加工关键工艺设备、LED自动封装设备，包括各类SMD LED和功率型白光LED专用封装设备，测试和筛选仪器设备;鼓励发展为LED配套的拥有自主知识产权的管壳、荧光粉、胶水、支架、专用二次光学器件、专用IC等基础材料项目。

　　(二)技术发展重点

　　1.衬底、外延及芯片

　　重点支持GaN基功率型高亮度蓝、绿光外延片及芯片产业化技术、四元系InGaAlP高亮度红、黄、绿光外延片及芯片产业化技术。蓝宝石图形衬底制备及GaN基LED外延生长技术;大尺寸硅衬底GaN基LED外延材料生长与芯片制造关键技术;新型非极性衬底制备及GaN基LED外延生长技术;GaN基自支撑衬底制备及同质GaN基LED外延生长技术;垂直结构功率型LED芯片制造技术;深紫外氮化物材料、器件制备研究。

　　2.封装

　　重点支持与集成电路工艺兼容的硅基板LED封装新工艺、适合于通用照明的新型光源模块封装形式和工艺、100lm/W以上大功率白光LED封装技术(包括结构优化，降低热阻和改善散热)。

　　3.应用产品

　　重点支持应用导向型大功率白光LED封装与应用共性关键技术研究;高光效、高显色、功率型白光LED产品的开发;环境友好、人眼舒适的通用照明产品的开发;半导体照明中高效二次光学系统设计关键技术研究、大尺寸超薄、动态平板显示新型半导体照明背光源关键技术研究;LED灯具的智能照明集成控制系统研究;智能信息显示技术及相关产品的开发。

　　4.配套及设备

　　重点支持能替代进口的高效精密自动化封装设备和功率型LED固晶、分检测试量产设备关键技术，以及外延芯片产业化生产线设备的研发。开发具有高热导系数的贴片材料、大功率专用LED封装支架及新型封装材料(如玻璃、陶瓷、金属、硅胶等)。

　　(三)公共服务平台

　　1.研究开发平台

　　主要包括技术研发中心、LED分析测试认证中心和LED系统设计中心。

　　技术研发中心包括公共研发平台、企业工程中心和技术中心，主要负责研究开发LED相关技术，建立专利池，研究跟踪专利与标准，成为深圳LED产业的技术创新源。

　　LED分析测试认证中心主要负责对LED产业链各环节的产品进行检测、可靠性试验与失效分析，以及进行测试标准研究、可靠性标准研究等。

　　LED系统设计中心依托重大工程需求，开展LED工程整体应用的系统设计，对具体LED产品标准、系统特性需求等进行研究和设计。

　　2.资源共享平台

　　资源共享平台以信息网络的形式，依托LED技术产品研发中心、LED分析测试认证中心、LED系统设计中心、科技情报机构、标准研究机构、高等院校和图书馆，形成资源共享平台，对LED仪器设备、技术数据、图书文献、标准、情报和研发力量等多项要素进行整合，并与外部技术资源形成互联互通。

　　3.成果转化平台

　　以创新成果转化为目的，包括技术交易机构等技术推广平台，中试机构、孵化器、加速器等产业化支撑平台和生产力促进中心、风险投资机构等产业服务平台。

　　4.产品展示交易平台

　　进行LED产品及元器件、辅助材料、设备的展示和交易，包括LED产品专业展、专业市场、电子商务网等。