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德国爱思强股份有限公司昨(8.9)日宣布，该公司获得了来自南韩大邱庆北科学技术院(DGIST)的一份订单。合同签订的一套BM II(2英寸)系统将会用于3D设备的碳纳米管(CNT)阵列沉积，例如纳米天线、纳米整流器等。目前系统已由爱思强的当地服务团队进行安装和调试。
“我们正在开发的独特设备，要求对碳纳米管沉积位置进行精确控制，实现单根垂直排列。” DGIST信息及通信工程部的Jae Eun Jang教授表示，“而这正是以等离子为基础的爱思强BM系统比我们所考虑的其它系统更加出色的地方。事实上，BM系统使我们能够在碳纳米管生长过程中，以可重复生产的方式可靠地实现对生长参数和纳米管排列的最佳控制。”
虽然碳纳米管设备方面的研究在过去十年间取得了长足发展，但在大面积下对纳米管数量和位置进行精确控制(这是生产集成电路所必须的技术)仅仅是其中的重大挑战之一。DGIST采用爱思强的BM系统，正是为了解决这些难题。
“BM系统通过一种和现有硅技术相兼容的工艺，使我们能够根据所需尺寸准确地控制碳纳米管在预定位置的单根垂直生长。单根纳米管的垂直走向是一个关键要素，能使我们在传统设备的基础上大幅缩小设备单元面积。这种垂直纳米管不仅可以应用到电子和通信设备领域，并且也被我们应用到纳米机电和机器人系统等创新应用范畴。” Jang教授总结道。
Jang教授在韩国首尔的汉阳大学取得工程学学士学位，并于英国剑桥大学获得博士学位。主要成就包括2010年韩国国际信息显示设备展览会(IMID 2010)“杰出论文奖”，以及2009年三星电子“创新发明奖”和2008年“三星最佳论文银奖”等其它奖项。目前的研究方向包括无线通信系统、3D电子设备、传感器、柔性电子/可穿戴计算机、人机交互设备和光学快门。
编辑：李杰
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