首届国际先进照明科技会议于复旦大学成功举办

　　21日下午，法国等离子体与能量转换实验室 Marc Ternisien教授作了“柔性OLED：现有技术回顾”的报告：

　　节能是当今时代的重要议题。近几年，LED光源的性能大幅提升，一些示范性的LED照明工程充分说明了其节能的优势。作为固态照明的一个分支，用于普通照明的有机发光二极管(OLED)目前还处于实验室研究阶段。目前市场上所能见到的用于照明或显示的有机电子器件数量很少，且性能(效率和寿命)还远未达到普通照明的要求。尽管如此，这些器件在普通照明还是展现出了一些吸引人的特质。比如，OLED是一种面光源，可实现大面积照明，它的眩光小，厚度小(连同基板只有几毫米厚)，灵活可弯折(易与现有设备整合)，均匀度好。

　　当前市面上销售的OLED产品均是基于玻璃基板，用于普通照明的可弯折OLED还少之又少。用于普通照明的可弯折OLED是不是永远都是一个梦，还是这个梦已经实现了呢?Marc在报告中回顾了柔性OLED的最近进展，并探讨了现有技术遇到的问题以及未来如何通过研究来解决这些问题。

　　南昌大学江风益教授作了“硅衬底薄膜型GaN基LED进展与应用”报告;北京大学王新强教授作了“面向下一代发光器件的衬底研究”的报告：

　　江风益教授提出了厚膜LED和薄膜LED的概念，提出厚膜LED白光“各向异谱”和薄膜LED白光“各向同谱”性质。江教授指出硅基LED在制备薄膜LED的优势，并提出了独特的制备硅基LED外延薄膜的方法，利用在基片上分割单元，片区生长，减少薄膜中所受到的内应力，避免薄膜的断裂，生长出高质量的薄膜，并用于制备LED。此外，LED外延芯片还面临一个重要问题，即芯片电流注入不均匀性，导致在电极下方电流拥挤，发光最强，但发出的光容易被电极阻挡，造成LED整体发光效率变低。为解决此类问题，江教授提出在电极下方利用独特技术制备高阻层，避免电极下方电流拥挤，改善芯片的发光均匀性，提高LED的效率。此外，江教授还回顾了硅基LED的发展史，指出未来硅基LED的发展趋势，并展望我国硅基LED的优势，为开辟我国具有自主知识产权的LED核心技术提供方向。

　　王新强教授在报告中表示，近十年来，以GaN基LED为核心的半导体照明产业迅猛发展，产值巨大。当今的半导体照明往绿色高效照明和超越照明进一步发展，要求GaN基LEDs具有更高效率和更低成本。利用GaN实现同质外延，不仅可以解决氮化物外延材料缺陷密度高的问题，且可以发展垂直结构的发光器件，是实现大功率、高效率和高速LEDs的优选方案。

　　王教授研究了GaN基自支撑衬底的HVPE外延生长及其剥离技术。考虑边缘效应和弯曲情况，建立三维应力模型，研究了GaN不同晶面在不同应变条件下的表面释放能，推导了GaN厚膜自分离发生的条件。建立自分离断裂模型，提高了自分离率，实现了具有高分离率的GaN自支撑衬底。