3-2-1、氧化铝陶瓷基板

　　上述部分是针对工艺不同部份所做的阐述，另一项与散热息息相关的则是基板材质，LED散热基板所使用之材质现阶段以陶瓷为主，而氧化铝陶瓷基板应是较易取得且成本较低之材料，是目前运用在元件上的主要材料，然而厚膜技术或薄膜技术在氧化铝陶瓷基板上制备金属线路，其金属线路与基版的接着度或是特性上并无显着的差异，而两种工艺显现出最主要的差异则是在线路尺寸缩小的要求下，薄膜工艺能提供厚膜技术无法达到的较小线路尺寸与较高的图形精准度。

　　3-2-2、氮化铝陶瓷基板

　　而在更高功率LED应用的前提下，具高导热係数的氮化铝(170-230W/mK)将是散热基板的首选材质，但厚膜印刷之金属层(如高温银胶)多需经过高温(高于800oC)烧结工艺，此高温烧结工艺于大气环境下执行易导致金属线路与氮化铝基板间产生氧化层，进而影响线路与基板之间的附着性;然而，薄膜工艺则在300℃以下工艺之条件下备制，无氧化物生成与附着性不佳之疑虑，更可兼具线路尺寸与高精准度之优势。薄膜工艺为高功率氮化铝陶瓷LED散热基板创造更多应用空间。

　　4、结论

　　以上我们已将LED散热基板在两种不同工艺上做出差异分析，以薄膜工艺备制陶瓷散热基板具有较高的设备与技术，需整合材料开发门槛，如曝光、真空沉积、显影、蒸镀(Evaporation)、溅镀(Sputtering)电镀与无电镀等技术，以目前的市场规模，薄膜产品的相对成本较高，但是一旦市场规模达到一定程度时，必定会反映在成本结构上，相对的在价格上与厚膜工艺的差异将会有大幅度的缩短。

　　在高效能、高产品品质要求与高生产架动的高功率LED陶瓷基板的发展趋势之下，高散热效果、高精准度之薄膜工艺陶瓷基板的选择，将成为趋势，以克服目前厚膜工艺产品所无法突破的瓶颈。因此，可预期的薄膜陶瓷基板将逐渐应用在高功率LED上，并随着高功率LED的快速发展而达经济规模，此时不论高功率LED芯片、薄膜型陶瓷散热基板、封装工艺成本等都将大幅降低，进而更加速高功率LED产品的量化。