上一世纪90年代中后期，陶瓷金卤灯已基本成熟并初步定形时，其电弧管壳均为五段式结构（图6），即中部为较粗的放电容器，二端用陶瓷塞封口，陶瓷塞中央再各封接一细陶瓷管用以支撑电极。此种结构明显降低了二端电极引线封接处的温度，提高了铌杆与陶瓷套管密封的可靠性。但这种结构不仅制造工艺复杂，成品率低，成本高，而且陶瓷塞与管壳、电极引线与陶瓷套管封接处的高温及熔融或气化的金属卤化物的腐蚀作用仍然对焊料具有较大威胁，很难满足长寿命要求。特别是在陶瓷塞中心电极的周边，温度较高且有大量电荷积累及复合，腐蚀较为严重。1997年出现了的三段式结构（图7），即将陶瓷塞与电极引线瓷套管制成一体或将放电陶管二端管径收细（图7b），使与支撑电极的细陶套管直接封接，从而大大缩短了低熔点陶瓷——玻璃焊料封接的周边长度，封接部位被腐蚀的几率减少，灯寿命得以明显延长。
但是三段式陶瓷管的加工工艺仍然复杂，成品率低、成本高且陶瓷塞与陶瓷管封接部的温度仍然很高，对焊料的腐蚀依然严重，仍然限制着陶瓷金卤灯寿命的提高。在此基础上本世纪初到2003年间又发展了种类繁多的二段式电弧管结构，其结构示如图8。早期的这种二段式结构的电弧管的封接部位通常处在电弧管的一端，塞的内端面有的设计为平面，也有设计为圆锥形凹面的（图7d）。
目前五段式结构已经消失，三段式、二段式电弧管结构仍在使用，但封接方式已出现了根本改变，各段间的封接已不再使用任何焊料，而是在素烧前就将各陶瓷组件装配在一起，烧结时靠控制收缩率的差异使各陶瓷件紧密箍接，并由封接部位二侧晶粒的交叉生长而结合成整体结构。目前三段式的圆柱形电弧管的使用最为普遍，而二段式的典型代表则是Osram仍在使用的接缝处于电弧管中部的球形35W陶瓷金卤灯(图8c)。
随着电弧管原材料配方的优化、处理及陈化过程的改进，成形技术和烧制技术的提高，目前小功率电弧管结构快速向球形一体化发展（图9），这种一体化的高质量陶瓷管是高光效、高的光透过率、高的光直线透过率，低光衰和长寿命的最重要的保证。
陶瓷金卤灯管壳的重要专利大部分是GE公司在近25年的研发中积累开发的。
Ⅳ 陶瓷金卤灯的电极
对于陶瓷金卤灯，电极是另一个和陶瓷管壳同样重要的关键，四分之一世纪以来陶瓷金卤灯电极经过非常多的改进，最后定形的是如图10所示的电极结构，这种电极亦为GE所设计，目前GE、Philips和Osram几乎毫无例外地采用此种结构的电极。35W灯的种结构电极系统的最前段为0.18mm的钍钨丝电极，其前端绕制直径约0.13mm 的钨螺旋4圈，钨杆电极后为直径约0.4mm 的钼杆引线，其上密绕直径0.13mm的钼螺旋，最后一段则是用以与陶瓷袖管密封的铌杆，铌杆与陶瓷袖管之间由陶瓷玻璃焊料密封。
此种很细的钨杆电极以及细长钼芯丝导线保证了电极系统的低热导率，这是保证铌杆密封部位低温的重要措施之一，钼杆外的钼丝螺旋几乎填满了钼杆导线与陶瓷袖套管之间的空间，既可保证电极系统处于灯的轴线位置，又使得电弧管二侧陶瓷袖套中的冷空间减到最小，保证而不会使封接端温度明显升高。
这种设计巧妙的细长电极系统及陶瓷袖管能非常好地适应当前陶瓷金卤灯的特点，既使得封接部位远离电弧，温度降低，而且整个封接范围很小，极为可靠，不易损坏、又能保证电极位置的精确，从而保证了灯的高性能和长寿命。此种貌似复杂的电极结构性能极为可靠，是一种非常成功的设计，也是GE公司重点保护的知识产权。其中不至凝结太多金属卤化物，引起过大的色温和光效的漂移。这样的钼螺旋对热传导的作用不大，因而不会使封接端温度明显升高。
这种设计巧妙的细长电极系统及陶瓷袖管能非常好地适应当前陶瓷金卤灯的特点，既使得封接部位远离电弧，温度降低，而且整个封接范围很小，极为可靠，不易损坏、又能保证电极位置的精确，从而保证了灯的高性能和长寿命。此种貌似复杂的电极结构性能极为可靠，是一种非常成功的设计，也是GE公司重点保护的知识产权。
